日前，中國科學院蘭州化學學物理研究所在半導體光催化納米材料的結構設計及晶面調(diào)控方面取得系列進展。該方法在半導體光催化領域具有*的通用性和實用性，為設計、合成具有高指數(shù)晶面的異質(zhì)半導體光催化材料開辟了一條新途徑。

      研究人員利用在金銀納米棒表面選擇性外延生長磷酸銀的方法，成功制備了具有{221}和{332}高指數(shù)晶面的磷酸銀二十四面體結構。除目前已經(jīng)報道的面心立方的貴金屬二十四面體結構外，關于體心立方的半導體二十四面體異質(zhì)光催化材料尚屬報道。

      研究人員還發(fā)現(xiàn)，兩晶面具有比低指數(shù)晶面更高的表面能，而且由于高指數(shù)晶面具有更多的反應活性位，可使磷酸銀二十四面體結構具有更高的可見光催化性能。